Режим прямого замикання
Принцип роботи тиристора в режимі прямого замикання припускає зворотне зміщення одного з переходів. Протилежні шари зміщені в прямому напрямі. Основна частина прикладеної напруги знижується на одиничному переході. Через інші шари дотичні області инжектируются носії, що дозволяють зменшити опір на провідному елементі. Відбувається збільшення минаючого струму. Падіння напруги зменшується.
Збільшення прямої напруги призводить до повільного зростання електричного струму. В такому режимі напівпровідник вважається замкненим, що пов’язано з підвищеним опором одиничного переходу. При певному показнику напруги процес починає набувати лавиноподібний характер. Прилад переходить у включений стан, в ньому встановлюється електричний струм, який залежить від джерела і опору ланцюга.
Двухтранзисторная модель
Для пояснення будови і принципу роботи тиристора в режимі прямого замикання застосовується двухтранзисторная модель. Даний напівпровідниковий прилад можна розглядати як два суміщених транзистора з протилежними висновками. Перехід у центрі використовується в якості колектора дірок і електронів, які инжектируются певними переходами.
Співвідношення не змінюються при протіканні струмів в протилежному напрямку. При підвищенні коефіцієнта в замкнутій петлі відбувається лавиноподібний процес, що припускає збільшення струму безпосередньо через структуру. Електричний струм обмежений лише опором зовнішньої ланцюга.
